“和IBM并驾齐驱”“超LSI”项目研发的另一挑战是,如何让项目顺利的秘密进行,以免遭受美国的围追堵截和反攻。过程中还真出现了惊魂时刻。期间,日本国内一家报纸刊登了第二研究室的新闻,有关可变矩阵光束的研究成果。高度关注着日本动向的美国人注意到了这篇新闻,并怀疑日本启动了半导体产业的国家级项目,而且,这种怀疑还在美国被持续扩大。这可吓坏了垂井。多番思量后,他决定“主动出击”,办法是主动交代,但不说实情。垂井向根桥建议,在美国举办的国际电子器件大会(IEEE International Electron Devices Meeting)上发表一篇论文,介绍超LSI项目,但不提项目核心内容,只讲基础研究的部分,以此打消美国人的疑虑。根桥转而与五大公司商量对策。五大公司一致认为:“最好连基础研究也不要提,更不要提联合研究所的事。”1977年12月,美国华盛顿喜来登酒店,垂井康夫单刀赴会地出现在IEEE会议现场,并做了题目为“日本的LSI以及VLSI研究”主题演讲。特殊的背景,让垂井的演讲会场涌进了600多人,走廊里都站满了挤不进来的参会者。在一众美国同行的注视下,垂井看似精心准备得煞有其事,但所讲内容却都是过往研究的汇编,几乎没有什么干货,忐忑中完成演讲的结尾,他还一本正经地强调道:“我们会分享更多的研究成果,让日美一道探索微电子的未来吧!”但美国方面还是没有因此放松警惕。会议一结束,垂井一位在贝尔实验室工作的美国朋友就跑过来试探:“听说你们的政府在补贴企业,美国的法律可不允许,在这里,政府和企业是竞争关系。知道为什么美国的律师数量是日本的25倍吗,竞争改变社会。”项目成功之后,垂井更在项目回忆录里写道:“经过事后确认,我在美国的所到之处全程都有CIA人员‘陪同’,美国政府似乎在等我露出什么破绽。”而这也是美国的惯用伎俩。几十年后,法国阿尔斯通高管皮耶鲁齐的《美国陷阱》和华为孟晚舟事件中,美国也都是类似的操作。不过,垂井算是幸运者。他不但有惊无险地回到了日本,而且的确通过这一次主动出击,转移了美国人的视线,让项目得以避开美国人的火力。赢得时间和空间的日本人因此披星戴月地集中研发,持续突破。三种电子束描绘装置、电子束描绘软件、高解析度掩膜及检查装置、硅晶圆含氧量及碳量分析技术等微细加工技术与设备、大口径单晶硅培育技术、CAD设计技术等关键技术相继取得突破,适用这些技术的逻辑、存储元件制造技术也都应运而生之下,日本最终提前美国一年时间,研发出了256K DRAM,成为了这一关键领域的引领者。在超LSI项目基础性研究成果的共享机制下,参与项目的五大公司,也都实现了在半导体技术上的跨越式发展,进而掌握下一代计算机的核心技术,粉碎了美国的技术围猎。手握金刚钻之后,日本公司开始在半导体产业发起反攻,并快速追赶,改写了与美国之间的攻守关系。到1986年,日本企业在全球半导体市场份额由26%上升到45%,美国半导体市场份额则从61%下降到43%。当年,全球排名前十的芯片制造商中有六家是日企。日本电气、东芝和日立更包揽了前三名。遗憾的是,日本的技术突破最终没能摆脱国家实力的较量与制约。堪称“珍珠港偷袭”式的日本半导体突围,很快让美国如梦方醒。技术打不赢,就立法来打,立法还打不赢,就想其他办法来打。1984年,美国推出《半导体芯片保护法》,明确提出政府对芯片产业的更大力度支持;1987年,修改《反托拉斯法》,明确美国政府也可以合法地补贴企业,然后效仿日本,联合14家企业建立了半导体制造技术联盟(即SEMATECH),主攻芯片制造工艺及其设备,从技术上对抗日本先进技术。强大自身的同时,美国还举起所谓法律武器。依据其《贸易法》301条款,美国半导体行业协会发起了对日本的起诉,逼迫日本于1986年签署《日美半导体协定》,《协定》明确要求,提高美国半导体产品在日本市场上所占的比重至20%。曾经领导日本成功反击的垂井康夫因此倍感失望与愤怒,评价该《协定》是:“载入史册的不平等协议”。